Features :  
                             

Lead frame package with individual 6pins.

Wide viewing angle.

Pb-free.

The product itself will remain within RoHS

Compliant version.

Bondable electrode for To metal can lamp

High durability for rugged operation

Very high sensitivity

Suitable for automated wire-bonding

Room temperature operation

Core Advantages​​ :
​​Dual-Mode Detection​​
Supports both ​​APD (Avalanche)​​ and ​​PIN photodiode configurations​​ for flexible sensitivity requirements
​​UV-Optimized Silicon Design​​
Enhanced ​​200-400nm UV response​​ with specialized anti-reflection coating
10x lower dark current than standard UV sensors
​​TO5 Hermetic Package​​
Military-grade sealing (MIL-STD-883 compliant)
Optional ​​UV-transparent window​​ (MgF2/Sapphire)
​​Fully Customizable Parameters​​
Active area: Φ0.2mm~Φ5mm

APD TO-8 Silicon Photodiode with Wavelength Range 960nm 320-1100nm Detector



The TO-8 Silicon Photodiode ICs are high-performance photodetectors designed for applications requiring sensitivity across a broad wavelength range. These ICs are housed in a robust TO-8 package, ensuring reliability and durability in various operating environments. With a primary wavelength response of 960nm and a secondary response range from 320nm to 1100nm, these photodiodes are ideal for use in optical sensing, s

Application:

Infrared detection (such as PbSe, InGaAs, HgCdTe and other materials infrared detector)

 
Optical communication (stable wavelength DFB or FP laser required)

 
Spectral analysis (e.g. Raman spectrometer)

 
Gas Detection (NDIR Sensor)

Features ：
 

Wide spectral response range

top looking package 

Capable of pulse operation 

Low profile

Supports reflow soldering

Feature:

75μm High-Density Array
Multi-pixel alignment for parallel optical links.

>3GHz Bandwidth per Pixel
Supports 25Gb/s NRZ / 40Gb/s PAM4 modulation.

900-1700nm NIR Response
Covers O/E/S/C/L/U communication bands.

Low Crosstalk < -30dB
Critical for multi-channel signal integrity.

TO-8 Hermetic Package
Reliable operation in harsh environments.

Application:

X-ray monitoring and detection systems

UV-VIS-NIR spectroscopy

Scientific research and laboratory equipment

Industrial inspection and quality control

Medical imaging and diagnostics

 Application:

Remote control sensor

Card readers

Optical switches

Medical equipment

Spectroscopic sensors

Feature:

1. High sensitivity - InGaAs material, response wavelength 900-1700nm
2. Integrated TIA - Built-in transimpedance amplifier, simplifying circuit design
3. Fast response - nanosecond-level response time
4. Low noise - Excellent signal-to-noise ratio, strong low-light detection
5. Compact package - miniaturized design, easy integration

800-1700nm Infrared detector 

Ultraviolet receiving tube ultraviolet photodiode

Flat window UV detector, UV receiving tube, silicon cell

Feature:

1000um Active Diameter; 

High responsivity;

Low capacitance;

Low Capacitance and High Speed with a PIN structure

Typical applications: 400-1100nm photodetector

✓ Optical fiber communication monitoring
✓ Spectral analysis instruments
✓ Laser power detection
✓ Industrial automation sensing